在韩国首尔召开的MEMS技术国际学术会议“TRANSDUCERS’05”第三天举行的第一场专题研讨会“DRIE Technology”上，发表了2项有关集成化MEMS的技术报告。另外，与此同时还举行了“CMOS Type Chemical Sensors”专题研讨会。  

    关于此前的集成化MEMS，本站在大会举行的第一天就以“今后有望成为主流的两种截然相反的集成方法”为题做了报道。在第3天的第一场研讨会上，加速度传感器著名厂商美国逻辑器件公司就采用SOI晶圆的集成MEMS进行了技术发表（题目是“T. D. Chen et al., The Next Generation Integrated MEMS and CMOS Process on SOI Wafers 
for Overdamped Accelerometers”）。不过值得关注的是北京大学做了一场有关集成化MEMS的技术发表。  

    北京大学所作的发表题为《Post-CMOS Process for High-Aspect-Ratio Monolithically Integrated Single Crystal Silicon Microstructures》。其工艺如下。首先，在普通硅晶圆上形成CMOS电路，然后利用通过Deep RIE（深层反应离子刻蚀）形成的填充有二氧化硅的隔离沟，将硅晶圆分成MEMS区和CMOS电路区。  

    然后，在MEMS区形成纵横比较大的机械结构（譬如，梳状结构的电容传感器或激励器）。与基于表面微加工的集成化MEMS相比，由于纵横比更高，因此其特点是梳状电容传感器的容量大，梳状激励器的力量大，能够使具有良好机械特性的单晶硅形成结构体等。其实，此前由模拟器件发表的工艺尽管工艺组成不同，但同样也是基于相同的思路。  

    北京大学的元件尽管没有实际形成CMOS电路，但却形成了作为前置放大器组成要素的二极管和电容器。虽说不够完整，但大体上称得上集成化MEMS。估计下一步将会完整地制作集成化MEMS。的确，北京大学的技术有些地方很奇怪。北京大学曾表示先形成CMOS电路，再利用DRIE和CVD形成隔离沟。但CMOS电路是不可能承受最高达720度的CVD温度（最高720°C）的（尽管可以将CMOS电路形成与隔离沟形成的过程倒过来进行）。