日前，北大深圳研究生院信息工程学院何进教授、林信南博士收到美国电子和信息技术联合会 (GEIA: Electronics & Information Technology Association）管辖的国际集成电路模型标准化委员会（CMC： Compact modeling Council）主席函，邀请他们在日本京都举行的CMC会议上就我院自主研发的Ultra-MG模型做出特邀报告，并作为三个候选者之一竞争下一代国际MG标准模型。另外两个候选者分别来自美国UC Berkeley大学和新加坡南洋理工大学。

MG(Multi-Gate)技术是代替传统Bulk MOSFET用于22nm节点以后的集成电路器件结构，由于结构上有所变化及纳米尺度下新物理效应的出现，使得传统Bulk MOSFET模型无法应用到以MG器件为基础的新一代集成电路上。由于现代集成电路要求必须有准确的模型以指导设计和加工，因此开发出准确而快速的MG模型是MG技术广泛应用基础，具有重要的学术和工程意义。

编辑：李娜