2016年9月21日，由北京大学作为牵头单位的国家重大科学研究计划项目“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”课题结题验收会在北京大学中关新园举行。会议由项目首席科学家，北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室教授徐洪起主持。

科技部基础研究司基地建设处副处长任家荣、北大科学研究部重大项目办公室副主任廖日坤首先代表项目主管单位和依托单位讲话，明确了课题验收和项目总结的要求。徐洪起就项目研究进展和成果作了整体性汇报；杨涛、陈清、徐洪起、李新奇先后对纳米线阵列可控制备、新型立式环栅器件、新型量子电子器件及相关理论模型作了课题汇报。

随后，由中国科学院物理研究所解思深院士等多位专家组成的专家组对四个课题进行了认真评议。他们认为，自2012年项目启动以来，项目组始终按照任务书要求，针对窄带隙Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料，刻苦攻关，通力合作，历时5年，全面完成了计划任务，实现了预期研究目标，因此四个课题均顺利通过验收。

与会人员合影

编辑：山石